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加速實現5G,邁向超越想像的未來
台積公司22奈米ULP RF技術,提供領先業界的高頻mmWave RF晶片整合解決方案,能滿足5G行動通訊和物聯網等多種應用
台積公司16奈米FinFET RF製程技術提供業界最佳的耗能及尺寸優勢,領先業界為客戶量產5G行動通訊6GHz以下低頻段射頻晶片
加速實現5G,邁向超越想像的未來

台積公司領先業界,採用16奈米鰭式場效電晶體(Fin Field-Effect Transistor,FinFET) 射頻(Radio Frequency, RF)製程技術,於民國107年上半年為客戶量產第五代行動通信技術(5G)RF晶片;此外,也領先採用22奈米超低功耗(Ultra-Low Power, ULP)RF製程技術,於民國107年下半年為客戶試產5G RF晶片,加速實現5G行動通訊商用化。

上述二項製程技術都是5G行動通訊的關鍵技術,其中16奈米FinFET RF製程乃用於生產6吉赫(GHz)以下的低頻段5G RF晶片,而22奈米ULP RF技術則是用於生產高頻毫米波頻段 (mmWave)5G RF晶片,證明台積公司不僅在先進製程技術持續創新,也在特殊製程技術上不斷領先,為客戶提供最具競爭力、最完備的製程技術。

業界最佳的耗能及尺寸優勢

台積公司的16奈米FinFET RF製程係業界針對RF應用首次採用三維FinFET電晶體結構的技術,與上一世代採用二維電晶體結構的28奈米低耗電(Low Power, LP)RF製程相較,耗電降低約50%、尺寸縮小約40%,提供最佳的速度、耗能及尺寸優勢。除了支援5G行動通訊產品應用外,也進一步拓展至新一代無線區域網路802.11ax(Wireless Local Area Network, WLAN 802.11ax)等應用。

領先業界的mmWave RF晶片整合解決方案

台積公司的22奈米ULP RF技術,提供領先業界的高頻mmWave RF晶片整合解決方案,能夠將行動通信核心元件─RF前端模組(Front End Module)中的開關(Switch)、低雜訊放大器(Low Noise Amplifier,LNA)、功率放大器(Power Amplifier,PA)以互補式金屬氧化物半導體(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,CMOS)製程技術整合成單一晶片,能降低晶片耗電。

與上一世代28奈米LP RF製程技術相較,22奈米ULP RF技術耗電降低約30%、尺寸縮小約20%,為客戶的5G高頻mmWave RF晶片提供絕佳的競爭優勢。此一製程技術提供高截止頻率(Cut-off Frequency)元件、更有彈性的製程設計套件(Process Design Kit, PDK)及可靠的模擬模型,能滿足5G行動通訊和物聯網等多樣應用。

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